RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2442
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link