RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2442
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link