RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2442
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link