RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2442
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link