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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2458
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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