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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
81
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
81
55
Velocidad de lectura, GB/s
8.5
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1651
2078
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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