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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
55
81
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
5.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
81
55
Velocità di lettura, GB/s
8.5
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1651
2078
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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