RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
81
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
55
Prędkość odczytu, GB/s
8.5
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1651
2078
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link