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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
81
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
5.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
81
55
读取速度,GB/s
8.5
9.3
写入速度,GB/s
5.6
7.4
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1651
2078
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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