RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
22.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3792
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link