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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
29
Velocità di lettura, GB/s
8.0
22.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3792
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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