RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3792
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link