RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
54
En -184% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
19
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3314
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link