RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3314
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link