RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
54
Rund um -184% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3314
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link