RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
54
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
19
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3314
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link