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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
63
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2941
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
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