RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
63
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
33
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2941
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link