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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
63
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
33
读取速度,GB/s
8.1
16.2
写入速度,GB/s
7.5
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2941
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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