RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
63
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
33
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2941
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link