RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
101
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
101
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
1382
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link