RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    63 left arrow 101
    周辺 38% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 6.7
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 101
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 1382

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM