Comparação RAM Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Pontuação geral

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

63 101

Por volta de 38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.5 6.7

Valor médio nos testes

Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

12.1 8.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1945 1382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns