RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

总分
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

总分
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    63 left arrow 101
    左右 38% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 6.7
    测试中的平均数值
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB 需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 101
  • 读取速度，GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 6.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1945 left arrow 1382

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
内存RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
内存RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
内存RAM