RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
2765
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link