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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
2765
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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