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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2701
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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