RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
10
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
1433
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link