RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
49
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
44
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2374
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link