RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
44
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2374
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link