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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
49
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2615
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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