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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2556
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
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