RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3592
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link