RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3446
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link