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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2576
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Jinyu 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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