RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
4084
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link