RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
4084
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link