RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
4084
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link