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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3434
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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