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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3488
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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