RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
4112
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link