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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3686
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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