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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3242
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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