RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
59
En 54% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
59
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1954
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link