RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3004
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link