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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3154
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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