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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
104
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3509
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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