Confronto tra le RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 16.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,404.5 14.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 104

Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 6400

Intorno 4 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

786 3509

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns