RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
104
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2946
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link