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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
104
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
37
读取速度,GB/s
3,192.0
14.7
写入速度,GB/s
2,404.5
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2946
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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