RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
104
En -206% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3447
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link